弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設備用于先進的各種復雜材料的研究[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]硅|化(hua)(hua)合物半(ban)導體|氧化(hua)(hua)物|寬帶隙材料|鈣(gai)鈦(tai)礦|外延
更新(xin)時間：2023-06-15
弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設備
用于先進的各種復雜材料的研究
[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]
硅(gui)|化(hua)合物半導體|氧化(hua)物|寬帶隙材料|鈣鈦礦|外延(yan)
弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設備
產品性能
先進材料的研究和開發
靈敏度: 對外延層監控和不可見缺陷檢測，
具有可視化測試的分辨率
測試速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率
壽命測試范圍: 20ns到幾ms
玷污測試: 產生于坩堝和生產設備中的金屬沾污（Fe）
測試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品
靈活性: 允許外部激發光與測試模塊進行耦合
可靠性: 模塊化緊湊型臺式檢測設備，使用時間 > 99%
重復性: > 99.5%
電阻(zu)率(lv): 無需時常校準的電阻(zu)率(lv)面掃描(miao)
先進材料的研(yan)究和開發
應用案例
+ 鐵濃度測定
+ 陷阱濃度測試
+ 硼氧濃度測試
+ 受注入濃影響(xiang)的測試
常規壽命測試
+ 無接觸且非破壞的少子壽命成像測試：
(μPCD/MDP(QSS),光電導率，電阻率和p/n型檢測符合半導體行業標準 SEMI PV9-1110
+ 多可(ke)(ke)集成4個不同波長光源(yuan)，具有大范(fan)圍可(ke)(ke)調(diao)的(de)(de)光注入水平，可(ke)(ke)對(dui)單點進(jin)行少子(zi)壽(shou)命的(de)(de)瞬態測試，
+ 可對單點(dian)進(jin)行少子(zi)壽命的瞬態測(ce)試(shi)，也可對晶圓片(pian)進(jin)行面掃
MDPStudio
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