freiberg弗(fu)萊貝格MDpicts微(wei)瞬態譜(pu)儀微(wei)波探測光誘導(dao)電(dian)流瞬態譜(pu)儀對于半導(dao)體材料(liao)少(shao)子壽命，電(dian)學(xue)參數和(he)界面(mian)陷阱等進行非接(jie)觸和(he)非破壞性測試(shi)
更新時(shi)間：2023-06-15
freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態譜儀
微(wei)波探測光(guang)誘導(dao)電(dian)流瞬態譜儀對于半導(dao)體材料少子壽命，電(dian)學參數(shu)和界面陷阱等進行非(fei)接觸和非(fei)破(po)壞(huai)性測試(shi)。硅| 化合物半導(dao)體 | 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣(gai)鈦礦(kuang) | 外延層
半導體材料的基礎研究和開發
配置選項
靈敏度：對半導體材料電學缺陷有高靈敏度
溫度范圍：液氮(77K)到500K,可選：液氦(4K)或更高的溫度
衰減常數范圍：20ns到幾十ms
玷污檢測：電學陷阱基本性能確定：
激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數等
重復性：>99.5%，測試時間< 6 0 分 鐘 ，液氮消耗：2L/run
靈活性： 從365nm到1480nm,根據不同材料選擇不同波長的激發光源
輔助功能：基于IP的系統(tong)，允許在任何地方進行遠(yuan)程操(cao)作和技術支持
半導體材料性(xing)能研究和(he)開發
+ 半導體材料質量控制
+ 缺陷種類確定：激活能，俘獲截面等參數
freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態譜儀
測試原理
MDpicts采用先進的光誘導電流瞬態譜測試技術（PICTS）是非接觸測試并具備更高的靈敏度，在各種半導體材料研究中開辟了新的應用。這個技術對半導體材料中的電學缺陷行為，可以提供與D L T S 技術相媲美的靈敏度，并給出載流子陷阱在材料中的主要復合中心。
在線客服