產品列表PRODUCTS LIST
弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設備
用于先進的各種復雜材料的研究
[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]
硅|化合(he)物(wu)半(ban)導體|氧化物(wu)|寬帶(dai)隙材(cai)料(liao)|鈣(gai)鈦(tai)礦|外延
弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設備
產品性能
先進材料的研究和開發
靈敏度: 對外延層監控和不可見缺陷檢測，
具有可視化測試的分辨率
測試速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率
壽命測試范圍: 20ns到幾ms
玷污測試: 產生于坩堝和生產設備中的金屬沾污（Fe）
測試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品
靈活性: 允許外部激發光與測試模塊進行耦合
可靠性: 模塊化緊湊型臺式檢測設備，使用時間 > 99%
重復性: > 99.5%
電阻率(lv): 無需時常(chang)校(xiao)準的(de)電阻率(lv)面掃(sao)描(miao)
先進(jin)材料(liao)的研究和開(kai)發
應用案例
+ 鐵濃度測定
+ 陷阱濃度測試
+ 硼氧濃度測試
+ 受注(zhu)入濃影(ying)響的測試
常規壽命測試
+ 無接觸且非破壞的少子壽命成像測試：
(μPCD/MDP(QSS),光電導率，電阻率和p/n型檢測符合半導體行業標準 SEMI PV9-1110
+ 多(duo)可(ke)集成4個不同波長光源，具(ju)有(you)大(da)范圍可(ke)調的(de)光注(zhu)入水平，可(ke)對單點(dian)進行少子壽命的(de)瞬(shun)態測試，
+ 可(ke)對(dui)單(dan)點進行少子壽(shou)命的瞬(shun)態測(ce)試(shi)，也可(ke)對(dui)晶圓片進行面掃
MDPStudio
用戶友好的操作軟件：
› 導入和導出功能
› 多級用戶賬戶管理
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› 菜單選項
› 分析功能包
› 線掃描和單(dan)點(dian)瞬可視(shi)化測試
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